原标题:长江存储刚突破128层3D NAND,三星就开发超160层V-NAND快闪存储器

  近日,据韩国媒体报道,三星目前正在开发具有 160 层或更高层的第 7 代 V-NAND 快闪存储器,并且在相关技术方面已经取得重大进展。

  当前,3D NAND Flash 快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为 128 层,而如果报道属实的话,三星所研发的更高层数的快闪存储器将是一次突破。

  另外,报道还指出,三星的第 7 代 V-NAND 快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的。就现阶段来说,如果完成 160 层堆叠的 V-NAND 快闪存储器开发,将成为业界最高堆叠层数的产品。

  在存储器产业中,当下的存储器均称为 3D NAND Flash 的快闪存储器,而三星则正在研发 V-NAND 快闪存储器,从名字来看就是下一代的产品。另一方面,堆叠层数的多少是 3D NAND Flash 快闪存储器厂商的核心竞争力,而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。这一方面也是无需质疑的,一个证据就是,三星在 2019 年以 166.7 亿美元(约 20 万亿韩元)的营收,在全球 3D NAND Flash 快闪存储器市场上成为龙头,市占率达到 35.9%。

  而从客观上来讲,尽管新冠肺炎疫情爆发严重,但是三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资,并没有停产或者受到影响,还进一步对西安的 NAND Flash 快闪存储器工厂进行扩产,可以说是不降反增。

  不过这并不是唯一的研发报道,有消息称,除了三星之外,韩国另一个存储器大厂 SK Hynix 也在宣布了 160 层或更高层堆叠的 3D NAND Flash 快闪存储器开发与生产规划。对于我们消费者而言,技术当然是越先进越好,发展越快越好。而对于三星而言,这次研发能否让其脱颖而出,还有待市场的检验。

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